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　　銅銦硒(CIS)薄膜和銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽電池的詳細介紹
　　銅銦硒薄膜是一種Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物半導體,新疆太陽能廠家表示具有黃銅礦閃鋅礦兩個同素異形的晶體結構.摻入鎵即形成四元化合物.
　　銅銦硒薄膜和銅銦鎵硒薄膜的制備方法很多,大致有物理方法和化學方法兩種. 經過多年的研究和開發, CdS/CuInSe2電池組件的效率已達11%, CdS/CuInGaSe2 電池組件的效率已達18%, 並已建立起了工業化生產線. 該電池的主要優點是: 材料具有較高的光吸收(∝>105cm-1), 所需材料厚度小于1μm, 90% 以上的光子可被吸收; 生產成本低, 僅為硅太陽電池的1/3-1/2, CIGS材料隨著銦鎵含量不同, 其光學帶隙可從1.02eV變至1.68eV, 這點對于制造多結疊層太陽電池極為有利; 電池的光電轉換效率比較高. 主要問題是: 制造過程比較復雜; 關鍵原料如銦的供應, 其天然儲量相當有限; 太陽電池中的緩沖層材料 CdS是必不可少的, 其毒性對環境的危害, 極大地影響了它的廣泛應用. 美國的Shell Solar公司正在進行這種電池的商業化生產, 建立了世界上第一條CIS薄膜太陽電池生產線，組件效率達11%。2001年銷售CIS組件0。4MWp，生產能力達25MW/年，2002年出口15MWp，2003年增加到40MWp。 ISET公司提出了利用納米技術以類似油墨的制造過程, 制備層狀結構, 已獲成功, 能否發展成規模化的制造過程, 還有待時間. 另外美國的NREL公司亦成功地開發了一種三級制造過程, 在實驗室獲得了19.2% 的光電轉換效率. 不過其制造過程太復雜,花費亦大,放大亦不易.
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